하늘 보면서 살자구요

Al녹는점: 660°C비저항: 2.7 $\mu\ohm\cdot cm$Logic에서는 Cu 사용 / 메모리 일부 Al 사용녹는점이 낮아 후속 고온 공정에 취약저저항 물질 순서: 은>구리>금>알루미늄Ti녹는점:1668°C비저항: 40 $\mu\ohm\cdot cm$Ti/TiN으로 Al line의 under layer, capping layer로 사용TiSilicide(TiSi2)를 만들어 저항을 줄이기 위함(Si - Metal 간 conduction band 차이로 인한 고저항 방지)W녹는점: 3422°C 비저항: 5.4 $\mu\ohm\cdot cm$ Al로는 deep contact 매립이 어렵고 후속 고온 공정 contact 필요시비저항이 높아 Contact hole에만 쓰고, line은 Al을 사용하는..

삼성이 테슬라의 자율주행 칩 AI6을 파운드리 위탁생산한다.당초 TSMC와 협의를 진행했지만 수주 물량이 포화 상태였기에 삼성전자에 콜을 보냈다.이번 공급계약은 165억달러 규모로 작년 매출액의 7.6%에 해당한다.AI6 칩은 2027년 가을부터 출시될 자율주행차량에 탑재할 반도체라고 한다.2nm급 초미세 공정에 GAA 기술이 들어갈 예정이다.가장 큰 문제는 수율이다.올초만 해도 40%였지만 이번 계약에서 TSMC 수준인 60%까지 올렸을 것이라는 말이 있다.해당 팹은 미국 텍사스주 신축 테일러 반도체 공장이며늦어도 내년 2분기에는 본격 양산 준비에 들어갈 예정이라고 한다. 삼성 파운드리 부활 테슬라에 23조 공급"AI6 칩 삼성전자에 맡겨" 머스크, SNS에 직접 밝혀 美 테일러 新공장서 생산 ◆ 삼성..

2차원 CD 불량목표보다 크거나 작아지는 CD(Critical Dimension) 불량Bright Field(BF) 현미경 이미지나 CD-SEM 설비로 관찰 가능LER(Line Edge Roughness): 패턴의 거칠기 정도LWR(Line Width Roughness): 거친 패턴으로 인한 CD 산포빛의 양은 최소한의 수준을 가져야 하지만너무 적으면 신호 대비 잡음이 커지고, 패턴에 국부적 차이 발생-> 빛의 양을 늘리거나 민감도 높은 PR 사용3차원 Profile 불량각도가 85도보다 아래로 내려가 PR이 누운 형태TCD, MCD, BCD를 측정해 관리T-shape: 노광면 상부에 PR이 맺혀있는 형태Footing: 노광면 하부에 PR이 남는 형태(흔히 대기 중 / 기판의 염기 물질 오염으로 발생)(..

PR은 빛을 받았을 때 물성이 변하는 물질로고분자 수지(Resin), 감광제(PAC), Solvent로 구성된다.빛을 받으면 감광제의 특성이 변해 물성이 변하게 된다.Positive PR: 빛을 받은 부분이 현상액에 용해Positive PR은 빛을 받으면 -OH를 가져 염기성 용액(TMAH)에 반응성이 좋음하부에 산화막 있는 경우 점착력이 떨어지며 두꺼운 PR 도포 어려움Novolac(g-line, i-line)이 감광제 DNQ와 결합하면 -OH가 대체되지만자외선을 받으면 DNQ가 떨어지며 ketene이 물에 닿아 -COOH가 생성된다.Negative PR: 빛을 받지 않은 부분이 현상액에 용해Negative PR은 Gel-point 이상의 빛을 받으면 Cross-linking이 형성되어 용해도가 낮아짐..

포토 공정 = 빛, 마스크, 감광제를 사용해 WF 표면에 패턴을 형성하는 공정HMDS (+BARC) -> Spin Coating (+TARC) -> Soft bake (+WEE) -> Exposure -> (PEB) -> Develop -> Hard bake노광기 & 트랙 설비에서 진행1) HMDS (Hexa Methyl Di Silazane)PR이 WF에 잘 부착하기 위해 표면을 친수성 -> 소수성으로 바꾸는 역할PR = 무극성 유기화합물, 표면 에너지가 낮아 소수성(spin coating 전 증기 형태로 얇게 도포)친수성 표면 = 작은 접촉각, 높은 표면 에너지, 극성소수성 표면 = 큰 접촉각, 낮은 표면 에너지, 무극성(Bottom Anti Reflective Coating)난반사로 인한 패턴 불량..

물질의 제 4 상태자유전자, 양이온, 라디칼, 중성 원자 또는 분자로 구성된 이온화된 기체기체가 전기적으로 분리된 상태로 부분적으로 전기적 특성을 띰플라즈마가 형성된 bulk 영역과 음극 사이에양이온이 전극접촉으로 손실되는 sheath 영역이 존재높은 운동 에너지를 가진 자유전자 -> 충돌 -> 이온화 or 라디칼 형성이온화 / 여기 / 해리 / 재결합 / 발광(탈여기)전자는 전기장 반대편으로, 이온은 전기장 방향으로 이동질량 차이가 상당히 커 탄성충돌 없이 비탄성충돌운동 에너지와 내부 에너지가 변하며 이온화 반복 즉, 전자를 제어하는 것이 플라즈마 밀도 유지에 중요CVD고온을 사용하지 못하는 경우플라즈마를 통해 반응성이 좋은 라디칼을 활용건식 식각라디칼의 반응성과 이온을 함께 활용전압을 인가하면 이온을..

비휘발성 메모리의 한 종류여러 개의 단위 셀을 직렬로 연결하여 메모리 동작을 수행MOSFET에서 (Ctrl Gate - ONO - Floating Gate - SiO2) 구조를 추가한 것Program - Read - Erase 3가지 동작을 한다플로팅 게이트에 전자 저장 여부에 따라 문턱전압 변화전자가 있으면 문턱전압이 크고, '0' 상태전자가 없으면 문턱전압이 작고, '1' 상태전자를 가두는 방식이라 전원을 제거해도 데이터 유지Ctrl Gate에 충분한 양전압을 가하면 전자 일부가 터널링 산화막을 통과해 플로팅 게이트에 위치 (Write)반대로 기판에 충분한 양전압을 가하면 플로팅 게이트 전자를 빼냄 (Erase)특정 Ctrl Gate 전압에서 해당 Tr에 전류가 흐르는지 측정 = ReadVth > V..

Dynamic Random Access Memory1 트랜지스터 1 커패시터를 단위 셀로 구성하는 메모리 소자(휘발성 메모리로 64ms / 256ms 정도에 한 번씩 Refresh 필요)(읽기 과정 자체가 전하 상태를 되돌리는 행위로 주기적으로 반복하는 것)도체에 정보 저장하기 때문에 누설Gate 전극에 연결된 도선 = Word Line(WL) : 커패시터 접근 여부 결정Source(Drain)에 연결된 도선 = Bit Line(BL) : 데이터를 읽고 쓰는 역할데이터 저장 과정1) WL을 ON (BL에 전압을 인가해 커패시터 충방전)2) WL을 OFF (저장된 데이터를 기억)데이터 읽기 과정1) WL을 ON (커패시터 전하를 BL과 공유)2) BL의 미세한 전압 변화를 증폭해 데이터 읽음NMOS Tr을..