하늘 보면서 살자구요

Cleaning 공정의 목적은 particle 제거, 흡착 gas 제거다.금속오염은 알칼리성을 띠고 누설전류, Gate Ox 열화의 원인이 된다.유기 오염은 막 형성 불량, Haze 불량을 야기한다.자연산화막, 화학적 산화막은 Contact 불량을 야기한다.공정 순서는 세정, 린스, 건조로 구성된다.화학적 습식 세정은 RCA Cleaning을 사용한다.기존 방식은 SC-1 > QDR > SC-2 > QDR > DHF > QDR 순서다.QDR: DIW로 행구는 단계Sulfuric acid Peroxide Mixture황산과 과산화수소의 혼합액으로 고온에서 유무기 불순물을 제거한다.격한 반응성으로 piranha 식각이라고도 불린다.유기물은 발열반응으로 형성된 Caro's Acid의 산화로 제거된다.무기물은 ..

Chemical Mechanical Polishing박막을 갈아내는 공정으로 평탄화하거나 Damascene 공정 등에 사용된다.평탄화가 제대로 진행되지 않으면 이후 공정의 편차가 증가한다.특히 DOF 균일도가 낮아지는 것부터, 증착 등 소자 구조 전체적으로 악영향을 끼친다.Slurry 내의 화학약품이 표면을 연하게 만들고사포 같은 다공성 pad에 힘을 가해 표면을 갈아낸다.갈아낸 부위는 즉시 conditioner를 분사해 손상과 불순물을 최소화한다.defect를 최소화하기 위해 건조되기 전에 바로 cleaning으로 넘어간다.Slurry 내 연마제들은 양음극으로 대전되는데만약 반발에너지가 감소하고 인력에너지가 증가하면 큰 PT로 성장해scratch source로 작용할 수 있어 분산을 잘 시켜야 한다.S..