하늘 보면서 살자구요

Non Critical 공정 (i-line, KrF)Binary Blank MaskQuartz 기판에 Cr층(빛 차단)이 증착된 상태Critical 공정 (ArF, EUV)Half-Tone Phase Shift MaskQuartz 기판 위 MoSi층(위상 반전) 위에 Cr층이 증착된 상태위상반전으로 패턴에 기여하지 않는 파장 상쇄하는 용도(Alternating PSM의 경우 Quartz 식각에 대한 defect 취약)$v=\frac{c}{\lambda}$, $E=hv$파장대 별 photon 1개 에너지 계산 가능파장이 일정하면 monochromatic위상이 동일하면 coherence모두 만족하면 중첩된 Laser파장이 길수록, 틈이 좁을수록 회절이 잘 일어난다.따라서 Mask와 Wafer 사이에 Lens..

2차원 CD 불량목표보다 크거나 작아지는 CD(Critical Dimension) 불량Bright Field(BF) 현미경 이미지나 CD-SEM 설비로 관찰 가능LER(Line Edge Roughness): 패턴의 거칠기 정도LWR(Line Width Roughness): 거친 패턴으로 인한 CD 산포빛의 양은 최소한의 수준을 가져야 하지만너무 적으면 신호 대비 잡음이 커지고, 패턴에 국부적 차이 발생-> 빛의 양을 늘리거나 민감도 높은 PR 사용3차원 Profile 불량각도가 85도보다 아래로 내려가 PR이 누운 형태TCD, MCD, BCD를 측정해 관리T-shape: 노광면 상부에 PR이 맺혀있는 형태Footing: 노광면 하부에 PR이 남는 형태(흔히 대기 중 / 기판의 염기 물질 오염으로 발생)(..

PR은 빛을 받았을 때 물성이 변하는 물질로고분자 수지(Resin), 감광제(PAC), Solvent로 구성된다.빛을 받으면 감광제의 특성이 변해 물성이 변하게 된다.Positive PR: 빛을 받은 부분이 현상액에 용해Positive PR은 빛을 받으면 -OH를 가져 염기성 용액(TMAH)에 반응성이 좋음하부에 산화막 있는 경우 점착력이 떨어지며 두꺼운 PR 도포 어려움Novolac(g-line, i-line)이 감광제 DNQ와 결합하면 -OH가 대체되지만자외선을 받으면 DNQ가 떨어지며 ketene이 물에 닿아 -COOH가 생성된다.Negative PR: 빛을 받지 않은 부분이 현상액에 용해Negative PR은 Gel-point 이상의 빛을 받으면 Cross-linking이 형성되어 용해도가 낮아짐..

포토 공정 = 빛, 마스크, 감광제를 사용해 WF 표면에 패턴을 형성하는 공정HMDS (+BARC) -> Spin Coating (+TARC) -> Soft bake (+WEE) -> Exposure -> (PEB) -> Develop -> Hard bake노광기 & 트랙 설비에서 진행1) HMDS (Hexa Methyl Di Silazane)PR이 WF에 잘 부착하기 위해 표면을 친수성 -> 소수성으로 바꾸는 역할PR = 무극성 유기화합물, 표면 에너지가 낮아 소수성(spin coating 전 증기 형태로 얇게 도포)친수성 표면 = 작은 접촉각, 높은 표면 에너지, 극성소수성 표면 = 큰 접촉각, 낮은 표면 에너지, 무극성(Bottom Anti Reflective Coating)난반사로 인한 패턴 불량..