Wet Etch용액을 사용하는 등방성 식각etch -> rinse -> dry(표면장력으로 20nm 미만 침투 불가)Si을 강염기로 식각하면 격자구조에 따라 식각속도가 달라 비등방성 형태 가능Dry EtchSputteringAr 가스의 이온을 충돌 시킴 (선택비 낮음)RIE (Reactive Ion Etching)플라즈마 가스의 이온, 라디칼을 이용하는 식각이온 = 물리적 식각 (Ion bombardment) (drift)라디칼 = 화학적 식각 (등방성) (확산)증착성 좋은 가스 사용시측벽 film 깎기 어려워 비등방성 식각이 됨Trenching: 가장자리 부분 식각이 더 일어나 파이는 현상가장자리에 맞고 튕긴 이온이 다시 물리적 식각을 해 발생선택비가 높아야 Over Etch 가능두께 균일도, 식각 균..