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SK하이닉스가 차세대 고대역폭 메모리(HBM) 개발에 성공했다.
이번에 개발한 5세대 D램인 HBM3E는 AI용으로 데이터 처리 속도가 향상됐다.
초당 1.15TB 이상의 데이터를 처리할 수 있고,
1초만에 영화 230편 이상 분량의 데이터를 처리하는 수준이다.
데이터 처리 속도가 빠르지만 열 방출 성능도 기존 대비 10% 향상시켰다고 한다.
칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태 보호제를 주입하는 MR-MUF 공정을 도입했다고 한다.
AI개발에 따라 AI 서버 수요가 늘면서 HBM 수요도 증가하고 있다.
현재 우리나라에서는 삼성전자와 SK하이닉스가 선두를 유지하고 있고,
삼성전자는 HBM시장 점유율 50% 이상을 차지하고 있다.
SK하이닉스는 엔비디아에 샘플을 공급하여 성능 검증 절차를 진행중이고
내년 상반기부터 양산에 들어갈 계획이라고 한다.
최근 SK하이닉스는 321단 낸드에 트리플스택 기술을 적용한 샘플 칩을 공개했다.
반면, SK하이닉스와 마이크론 등이 72단 낸드부터 더블스택 기수을 적용하지만
삼성전자는 128단 낸드까지 싱글스택 기술을 적용하고 있다.
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