LPCVD

200 ~ 1000 mTorr의 저압에서 챔버 내 열 에너지에 의한 화학반응을 통해 박막 증착

박막 형성과 동시에 도핑이 가능하고, 다른 CVD에 비해 SC가 우수
저압 상태에서 가스들이 쉽게 표면으로 이동이 가능해,
흡착 후 열 에너지에 의해 반응을 일으켜 생성물 축적.

온도와 압력이 높고 가스량이 많을수록 증착 속도가 증가하고,
Wafer 수가 많을수록 증착 속도가 감소한다.

반면 저압에서는 MFP가 길어져 중앙까지 쉽게 확산되어 SC가 좋다.

Pattern Loading = $(1-\frac{T_0 - T}{T_0}) \times 100$
패턴밀도가 높을수록 표면적이 넓어져 증착 두께가 낮아진다.

Poly Silicon Deposition (a-Si)

500 ~ 600ºC	Amorphous	Anneal 시 Grain 형성 (0.2um)
570 ~ 600ºC	Micro crystal	Anneal 시 Grain 형성 (0.2um)
600 ~ 650ºC	Poly crystal	Grain size 변화 적음 (0.03 ~ 0.1um)

Nitride Deposition (Si3N4)
600 ~ 800ºC 분위기에서 실리콘 계열 소스와 암모니아 가스를 주입한다.
열 스트레스에 의한 박막 필링 발생으로, defect 제어가 쉽지 않다.
반응 부산물이 tube 내 남거나, tube 내 증착된 박막 크랙으로 defect 발생