모든 접합은 페르미 준위를 기준을 접합된다.금속과 n형 반도체 간의 접합을 Schottky 접합이라 한다.전자가 금속에서 반도체로 이동하며 위치 에너지 장벽이 형성되고결과적으로 공핍영역이 생기고 반도체의 밴드는 휘어지게 된다.이때 위치 에너지 장벽은 ΦB=Φm−χ=eV0+(Ec−EFn)ΦB=Φm−χ=eV0+(Ec−EFn)로 표현된다.(eV0=Φm−ΦneV0=Φm−Φn)순방향 바이어스를 걸면 내부장벽이 낮아져 반도체에서 금속으로 전자가 흐르지만역방향 바이어스를 걸면 장벽이 높아져 넘기 힘들다. 일부 역방향 전류가 흐른다.반대로 n형 반도체보다 더 작은 일함수를 갖는 금속과 접합을 이룰 때전류의 흐름을 제한하지 않는 저항성 접촉이 형성된다.p형 반도체와 n형 반도체의 pn접합으로..